芯联动力推出3300V SiC MOSFET器件，填补国内SiC器件应用关键空白 助力高压宽禁带半导体突破！6月22日，芯联集成控股公司芯联动力正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。
随着生成式AI算力需求的快速增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别发展。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心的关键环节。此外，在智能电网与新能源领域，固态变压器也发挥着重要作用。随着固态变压器市场的逐渐增长，高压SiC器件的需求将更加明确。
此次推出的3300V SiC MOSFET器件针对固态变压器等高压、高功率密度和高可靠性应用场景进行了深度定制，目前已向核心客户送样验证。基于3300V器件的优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%~35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率的发展提供支持。
芯联动力专注于碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) 的一站式系统解决方案，主要服务于新能源汽车、AI数据中心电源、能源与工控等领域。该公司拥有国内首条8英寸碳化硅MOSFET产线，是国内少数实现新能源汽车主驱SiC芯片量产的企业之一。目前，芯联动力主要布局数据中心800V HVDC的SiC及GaN解决方案以及固态变压器SST器件等AIDC领域。据第三方研究平台NE时代发布的2026年一季度数据，芯联动力的碳化硅功率模块装机量在国内排名第二，市场份额达到14.6%。
